Intel testa transistores de 14 nanômetros

Intel Ivy Bridge (Foto: Divulgação)

Sabe obter um nanômetro (nm), que vale 1,0×10−9 metros? Pegue uma régua comum e observe um único milímetro, divida por 1.000.000 e pronto, você tem um nanômetro ou seja “a milionésima parte do milímetro ou a bilionésima parte do metro”.

A Intel está testando transistores de 14 nanômetros. Como base de comparação, a próxima geração de processadores da marca terá 22 nm e será lançada em 2012. A declaração foi de Pat Bliemer, executivo da Intel para o norte da Europa, em entrevista ao site Nordic Hardware.

O interessante na informação é o fato de que, em teoria, o limite do silício, material em que os transistores de um processador são impressos, é 14 nanômetros. Menor que isso, impossível. A lâmina de silício teria perda de desempenho, processo fabril muito complicado e seria praticamente impraticável. E isso explica o grande número de pesquisas ao redor do mundo em torno de um material que possa ir além do silício na miniaturização dos componentes (o sulfeto de molibdênio, um dos concorrentes, permite que os transistores tenham átomos de espessura).

Segundo Pat, os estudos ainda são incipientes e as pesquisas ainda estão levando os projetos das pranchetas para os laboratórios. Talvez as lâminas não possam ser reduzidas a menos de 14 nm, mas a Intel pode estar de olho em um amadurecimento na concepção tridimensional de seus processadores e que permita um ciclo de vida maior do silício na indústria.

Até aqui, processadores são concebidos com uma lâmina de silício onde o circuito do processador, seus cores, controladores embutidos e demais recursos são impressos. Esta única lâmina é disposta horizontalmente. A partir dos Ivy Bridge, os transistores que fazem tudo funcionar, terão três dimensões – o que permite que ganhem desempenho, velocidade e economizem energia.

Fonte:Techtudo